Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(0<=x<=1). Письма в ЖТФ , Т.3,N2 , с. C.77-80 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. ,     Коропоткина Т.И. ,     Кулыгина Е.П. ,     Флусов Г.В. Лазерные гетероструктуры на основе твердого раствора Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N1 , с. C.124-128 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. ,     Бочкарев Э.П. Лазерные гетероструктуры на основе Pb_1-xSn_xTe для области спектра 6-20 мкм. I-71035 II Всесоюз. конф. по физ. процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 8-20 окт. 1978. Тез. докл. , Ч.1 , с. C.124 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И. Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , с. C.949-956 , 01.1981