Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Матвеенко А.В.

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В.
    Гетеролазеры на основе Pb_1-xSn_xTe, получаемые методом мгновенного испарения в вакууме. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N5 , с. C.887-890 , 01.1979

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И.
    Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , с. C.949-956 , 01.1981

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In. Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983

  4.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983

  5.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В.
    Фотолюминесценция квантово-размерных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Письма в ЖЭТФ , Т.43,N3 , с. C.140-142 , 01.1986

  6.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986

  7.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe. Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983

  8.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. ,     Саксеев Д.А.
    Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N1 , с. С.57-62 , 01.1987

  9.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Бесфоновый спектр поглощения Pb_1-xSn_xTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N10 , с. C.1789-1795 , 01.1987

  10.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В.
    Деформационные потенциалы PbTe. Физ. тверд. тела , Т.33,N4 , с. C.1086-1093 , 01.1991



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007