Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Караваев С.М. ,     Бритов А.Д. ,     Максимовский С.Н. ,     Ревокатова И.П. ,     Аверьянов И.С. ,     Пырегов Б.П. ,     Мызина В.А. Перестраиваемый гетеролазер на Pb{1-y}Sn{y}Se-PbSe. Квант. электрон. , Т.3,N11 , с. C.2513-2515 , 01.1976   Шотов А.П. ,     Максимовский С.Н. ,     Сидоров П.П. Люминесцентные пленки ZnSe:Yb, ZnSe:Dy и ZnS:Tm, выращенные фотостимулированной эпитаксией. Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.45-46 , 01.1988   Шотов А.П. ,     Максимовский С.Н. ,     Сидоров П.П. Свойства напряженных слоев ZnSe, выращенных на подложках из Si и ZnS фотостимулированной эпитаксией. Кратк. сообщ. по физ. , N3 , с. C.38-40 , 01.1989   Шотов А.П. ,     Максимовский С.Н. ,     Сидоров П.П. Зависимость излучательных свойств пленок ZnSe на Si от ориентации подложки. Кратк. сообщ. по физ. , N5 , с. C.45-46 , 01.1989   Пенин Н.А. ,     Максимовский С.Н. ,     Нолле Э.Л. ,     Лойко Н.Н. ,     Петров А.Э. ,     Турьянский А.Г. Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости. Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Максимовский С.Н. ,     Сидоров П.П. ,     Октябрьский С.Р. Фотостимулированная эпитаксия из паровой фазы при пониженном давлении пленок ZnSe на (100) Si. Письма в ЖТФ , Т.16,N14 , с. C.74-78 , 01.1990