Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Синятынский А.А. Инжекционные лазеры с двойной гетероструктурой на основе Pb_1-xSn_xSe, изготовленные методом молекулярной эпитаксии. Письма в ЖТФ , Т.6,N16 , с. C.983-986 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbS_1-xSe_x. Физ. и техн. полупровод. , Т.16,N12 , с. C.2187-2190 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. PbS_1-xSe_x лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии. Письма в ЖТФ , Т.9,N14 , с. C.881-884 , 01.1983   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. Оптическое ограничение в полупроводниковых лазерах на основе PbS_1-xSe_x c контролируемым профилем концентрации носителей в активной области. Кратк. сообщ. по физ. , N2 , с. C.30-35 , 01.1984