Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Чиковани Р.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Бычкова Л.П. ,     Сагинури М.И. Анализ факторов влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1-xSn_xSe. Квант. электрон. , Т.9,N11 , с. C.2140-2150 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Гегиадзе Г.Г. ,     Чиковани Р.И. ,     Зломанов В.П. ,     Бычкова Л.П. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xSe. Докл. АН СССР , Т.259,N1 , с. C.83-86 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Курицын Ю.А. ,     Бычкова Л.П. ,     Кривцун В.М. Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe. Квант. электрон. , Т.19,N2 , с. C.128-131 , 01.1992   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бычкова Л.П. Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y, изопериодического с PbSe, в рамках p-модели. Физ. и техн. полупровод. , Т.26,N2 , с. C.:280-283 , 01.1992   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бычкова Л.П. О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe. Квант. электрон. , Т.20,N4 , с. C.345-348 , 01.1993