|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Трофимов В.Т.
|
- Астахов В.И. , Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Косичкин Ю.В. , Надеждинский А.И. , Перов А.Н. , Галактионов В.В. , Тищенко А.Ю. , Трофимов В.Т. , Хаттатов В.У.
Трассовый измеритель концентрации окиси углерода в атмосфере на основе импульсных диодных лазеров.
Квант. электрон. , Т.9,N3 , с. C.531-536 , 01.1982
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Зломанов В.П. , Флусов Г.В. , Трофимов В.Т. , Кашкур И.П.
Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe.
Ж. техн. физ. , Т.51,N5 , с. C.943-948 , 01.1981
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In.
Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In.
Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Троицкий В.Ф. , Трофимов В.Т. , Изворян А.А.
Криостат с регулируемой температурой для магнитооптических измерений.
Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.199-201 , 01.1984
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Трофимов В.Т. , Панкратов О.А.
Двухэлектронный захват и параметры ян-теллеровского центра в Pb_1-xSn_xTe:In.
Письма в ЖЭТФ , Т.42,N1 , с. P.3-6 , 01.1985
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In.
Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986
- Астахов В.И. , Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Косичкин Ю.В. , Надеждинский А.И. , Перов А.Н. , Галактионов В.В. , Тищенко А.Ю. , Трофимов В.Т. , Хаттатов В.У.
Измерение концентрации окиси углерода в приземном слое атмосферы с использованием перестраиваемых диодных лазеров.
Мониторинг фонового загрязнения природных сред / Под ред. Ю.А.Израэля, Ф.Я.Ровинского , Вып.1 , с. С.175-180 , 01.1982
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe.
Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Матвеенко А.В. , Трофимов В.Т.
Бесфоновый спектр поглощения Pb_1-xSn_xTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины.
Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N10 , с. C.1789-1795 , 01.1987
|
|