Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Курганский А.В. ,     Валейко М.В. ,     Кузнецов В.Л. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe_1-xTe_x (0<= x <=1). Физ. и техн. полупровод. , Vol.19,N4 , с. C.627-631 , 01.1985   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. Фотолюминесценция квантово-размерных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Письма в ЖЭТФ , Т.43,N3 , с. C.140-142 , 01.1986   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. ,     Саксеев Д.А. Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N1 , с. С.57-62 , 01.1987   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Ширков А.В. ,     Валейко М.В. ,     Рухадзе З.А. Квантоворазмерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb_1-xEu_xSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физ. и техн. полупровод. , Т.24,N8 , с. C.1437-1443 , 01.1990   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. Деформационные потенциалы PbTe. Физ. тверд. тела , Т.33,N4 , с. C.1086-1093 , 01.1991