Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Персона без имени

  1.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A.
    Observation of enhanced current hysteresis. Intern. sympos. "Nanostructure: Physics and Technology", St.Peterburg, Russia, June 24-28 , 1996 , с. P.207-208

  2.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A.
    Observation of sequential excited-to-excited states resonant tunneling in weakly coupled superlattices with wide quantum wells. 9 Intern. conf. "Superlattices, microstructures and microdevices", Liege, Belgium, July 14-19 1996 , с. TuP-65

  3.   Murzin V.N. ,     Tskhoverbov A.M. ,     Karuzskii A.L. ,     Perestoronin A.V. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A. ,     Beloushkin A.A. ,     Chizhevskii E.G. ,     Ignatyev A.S.
    Double barrier resonant tunneling oscillations stabilized by a microstrip resonator. Intern. sympos. "Nanostructures: physics and technology" St.Peterburg, Russia. June 26-30 1995 , с. P.431-434

  4.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Stoklitsky S.A. ,     Perestoronin A.V. ,     Rasulova G.K.
    Sequential resonant tunneling with high-field domain formation. Intern. sympos."Nanostructures: Physics and Technology" Abstr. St.Peterburg , с. P.285-286

  5.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A.
    Sequential excited-to-excited states resonant tunneling and electric field domains in long period superlattices. Appl.Phys.Lett , Vol.70,N22 , с. P.3008-3010 , 01.1997

  6.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A.
    Observation of sequential excited-to-excited states resonant tunneling. Superlattices and Microstructures , Vol.24,N6 , с. P.449-452 , 01.1998

  7.   Murzin V.N. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A.
    Current bistability and switching in weakly coupled supperlattices GaAs/AlGaAs. J.Appl.Phys. , Vol.82,N7 , с. P.3381 , 01.1997



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007