Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Расулова Г.К.

  1.   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Монемар Б.. ,     Хольц П.О. ,     Сингх М..
    Оптическое наблюдение формирования электрополевого домена в GaAs/AlGaAs сверхрешетке n~+-i-n~+-типа с широкими квантовыми ямами. Письма в ЖЭТФ , Т.61,N5 , с. C.399-404 , 01.1995

  2.   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Митягин Ю.А. ,     Расулова Г.К.
    Эффект резонансного туннелирования по возбужденным подзонам. Письма в ЖЭТФ , Т.65,N11 , с. С.818-822 , 01.1997

  3.   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Чижевский Е.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Цховребов А.М. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Белоушкин А.А. ,     Игнатьев А.С.
    Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором. Физ. и техн. полупровод. , Т.32,N1 , с. C.124-127 , 01.1998



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007