Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Засавицкий И.И.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13 


  1.   Засавицкий И.И.
    Излучение полупроводниковых лазеров в сильных магнитных полях и при высоких гидростатических давлениях. Дисс. на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Канд. диссертация , с. 184 с.: ил.

  2.   Шотов А.П. ,     Муминов Р.А. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Пинч-эффект в вырожденной электронно-дырочной плазме антимонида индия. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. Труды. Москва, 23-29 июля 1968 г. Т.II. , с. С.891-897

  3.   Засавицкий И.И. ,     Коварский В.А.
    Особенности электрон-дырочной рекомбинации в InSb при низких температурах.. Исследования по полупроводникам , с. С.123-125

  4.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Перестройка частоты когерентного излучения антимонида индия с помощью магнитного поля. Физ. и техн. полупровод. , Т.4(2) , с. C.337-340 , 01.1970

  5.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Исследование полупроводниковых лазеров в качестве источников излучения для спектральных измерений. Ж. прикл. спектроскопии , Т.15,N2 , с. C.349-352 , 01.1971

  6.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Магнитоперестраиваемое вынужденное комбинационное рассеяние в антимониде индия. Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.81-87 , 01.1971

  7.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. С.1288-1291 , 01.1972

  8.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Лихтер А.И. ,     Пель Э.Г.
    Перестройка частоты излучения инжекционных лазеров на основе PBSe при гидростатическом давлении. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N11 , с. C.2206-2210 , 01.1972

  9.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Лихтер А.И. ,     Пель Э.Г.
    Установка для оптических исследований полупроводников под давлением до 10 кбар при 77 К. Приборы и техн. эксперим. , N2 , с. C.203-205 , 01.1973

  10.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Лихтер А.И. ,     Пель Э.Г. ,     Агейкин В.А. ,     Колошников В.Г.
    Интерферометрические измерения ширины линии излучения импульсного лазера на основе PbSe. Оптика и спектроскопия , Т.36,N4 , с. C.808-811 , 01.1974



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007