Страницы:   1   2    Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. ,     Бочкарев Э.П. Лазерные гетероструктуры на основе Pb_1-xSn_xTe для области спектра 6-20 мкм. I-71035 II Всесоюз. конф. по физ. процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 8-20 окт. 1978. Тез. докл. , Ч.1 , с. C.124 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. ,     Гегиадзе Г.Г. ,     Чиковани Р.И. ,     Криалашвили И.В. Исследование четверных твердых растворов Pb_1-xSn_xTe_ySe_1-y и создание на их основе гетеролазеров с согласованными решетками на гетерогранице. I-71035 II Всесоюз. конф. по физ. процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 8-20 окт. 1978. Тез. докл. , Т.I. , с. C.110 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И. Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , с. C.949-956 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Зависимость продольной и поперечной компонент g-фактора носителей тока от ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(0<=x<"примерно"3) и Pb_1-x_Sn_x_Se(0<=x<"примерно"0.08). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2269-2272 , 01.1981