Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Даварашвили О.И.

    Страницы:   1   2   3 


  1.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Курицын Ю.А. ,     Бычкова Л.П. ,     Кривцун В.М.
    Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe. Квант. электрон. , Т.19,N2 , с. C.128-131 , 01.1992

  2.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бычкова Л.П.
    Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y, изопериодического с PbSe, в рамках p-модели. Физ. и техн. полупровод. , Т.26,N2 , с. C.:280-283 , 01.1992

  3.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бычкова Л.П.
    О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe. Квант. электрон. , Т.20,N4 , с. C.345-348 , 01.1993



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007