Страницы:   1   2    Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Нелинейность фотопроводимости германия с примесями ртути, кобальта и цинка при возбуждении излучением с = 10,6 мкм. Физ. и техн. полупровод. , Т.27,N2 , с. C.277-284 , 01.1993   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Калюжная Г.А. Эффект отрицателной емкости в гетероструктурах Ni-TiO{2}-pSi. Физ. и техн. полупровод. , Т.28,N9 , с. C.1569-1575 , 01.1994   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования. Физ. и техн. полупровод. , Т.29,N1 , с. C.9-18 , 01.1995   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Калюжная Г.А. ,     Ноздрин В.С. Экранирование переменного магнитного поля пленками и монокристаллами высокотемпературных сверхпроводников. Физ. тверд. тела , Т.39,N2 , с. C.228-230 , 01.1997   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. ,     Малакшинов Н.П. Использование эффекта экранирования магнитного поля пленками ВТСП для коммутации СВЧ-сигналов. Письма в ЖТФ , Т.24,N13 , с. C.76-81 , 01.1998   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния. Изв. АН СССР. Сер.физ. , Т.63,N2 , с. C.312-316 , 01.1999