Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Персона без имени

    Страницы:   1   2 


  1.   Murzin V.N. ,     Dravin V.A. ,     Karuzskii A.L. ,     Perestoronin A.V. ,     Zhurkin B.G. ,     Apakina V.N. ,     Eltsev Y.F.
    Electromagnetic field induced dielectric resonance in YBa_2Cu_3O_7 single crystal. Czechosl. J. Phys. , Vol.46,Suppl.S2 , с. P.2072-2073 , 01.1996

  2.   Murzin V.N. ,     Tsikunov A.V. ,     Mityagin Y.A. ,     Karuzskii A.L. ,     Perestoronin A.V. ,     Volchkov N.A. ,     Zhurkin B.G. ,     Apakina V.N.
    Control over the lateral distribution of hydrogen content in the pulsed-laser deposited diamond-like carbon films. Appl. Surface Sci. , Vol.109/110 , с. P.335-340 , 01.1997

  3.   Murzin V.N. ,     Dravin V.A. ,     Karuzskii A.L. ,     Perestoronin A.V. ,     Volchkov N.A. ,     Zhurkin B.G. ,     Apakina V.N. ,     Eltsev Y.F.
    Experimental evidence for spatial dispersion effects and the change of sign of dielectric permittivity in superconductors from microwave measurements. Physica C: Superconductivity , Vol.282-287 , с. P.1585-1586 , 01.1997

  4.   Dravin V.A. ,     Karuzskii A.L. ,     Perestoronin A.V. ,     Volchkov N.A. ,     Zhurkin B.G. ,     Krapivka A.E.
    Effective permittivity and effective length of a microstrip resonator. ISRAMT'95. 5 Intern. sympos. on recent advances in microwave technology, 11-16 sept.1995, Kiev, Ukraine , Vol.2 , с. C.725-728 , 01.1995

  5.   Tskhoverbov A.M. ,     Zhurkin B.G. ,     Karuzsky A.L. ,     Chernyaev A.P.
    On the study of the anomalious behaviour of magnetic field dependent oscillations of the ED liquid luminescence in Ge. 24 Intern. conf. phys. semicond. Israel, Jerusalem, Aug. 2-7, 1998 , Abstr.,Vol.2 , с. Th-P5 , 01.1998



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007