Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Физ. и техн. полупровод.,Т.6,N7
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1972
Включает:
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe
, 01.1972
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Болтаев А.П.
,
Соловьев Н.Н.
Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления
, 01.1972
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007