Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Физ. и техн. полупровод.,Т.7,N4
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1973
Включает:
Шотов А.П.
,
Гришечкина С.П.
Особенности излучательной рекомбинации в чистых кристаллах InSb при низких температурах
, 01.1973
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Тактакишвили М.С.
Определение эффективной массы дырок в кристаллах PbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттингсгаузена
, 01.1973
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007