Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики p-n переходов в Pb_1-xGe_xTe
Шотов А.П.
,
Гришечкина С.П.
,
Копыловский Б.Д.
,
Жоховец С.В.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.12,N6
, 01.1978 , с. C.1132-1137
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007