Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.13,N9

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xSe(O<=x"приблизительно"< O.4) , 01.1979

  2.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка , 01.1979




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007