Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула




 

 Включает:

  1.   Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. Коллективные свойства экситонов в Ge

  2.   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Плотников А.Ф. Исследование взаимодействия экситонов при больших плотностях в Si

  3.   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Сахоненко Т.С. Люминесценция нелегированного GaAs при высоких уровнях фотовозбуждения

  4.   Келдыш Л.В. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках

  5.   Вавилов В.С. ,     Мурзин В.Н. ,     Заяц В.А. Низкотемпературное резонансное поглощение и излучение в далекой инфракрасной области при оптической генерации носителей




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007