Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Особенности температурной зависимости интенсивности излучательной рекомбинации в кристаллах GaS_xSe_1-x
Багаев В.С.
,
Зайцев В.В.
,
Стопачинский В.Б.
,
Беленький Г.Л.
,
Годжаев М.О.
,
Салаев Э.Ю.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.29,N1
, 01.1979 , с. C.50-54
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007