Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Фотоэлектрический эффект в компенсированном кремнии р-типа
Пенин Н.А.
,
Журкин Б.Г.
,
Гинодман В.Б.
,
Гладков П.С.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.5,N11
, 01.1971 , с. C.2219-2221
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
