Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Применение модуляционных методов к изучению ударной ионизации примесных центров и экситонов в GaAs
Багаев В.С.
,
Падучих Л.И.
,
Стопачинский В.Б.
Модуляционная спектроскопия полупроводников. Труды I коллоквиума
, с. С.46-51
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
