Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , 01.1981 , с. C.949-956   Copyright © БЕН РАН.