Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.15,N11

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Свистов А.Е. Исследование формы поверхности Ферми по угловой зависимости эффекта Шубникова-де Гааза в кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x>0.3) , 01.1981

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Зависимость продольной и поперечной компонент g-фактора носителей тока от ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(0<=x<"примерно"3) и Pb_1-x_Sn_x_Se(0<=x<"примерно"0.08) , 01.1981

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Флусов Г.В. ,     Старик П.М. Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием , 01.1981




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007