Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Влияние случайного поля на энергию активации второго уровня цинка в германии
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Бурбаев Т.М.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.15,N8
, 01.1981 , с. C.1486-1492
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
