Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Физ. и техн. полупровод.,Т.19,N6
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1985
Включает:
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Соловьев Н.Н.
Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg)
, 01.1985
Засавицкий И.И.
,
Лишка К..
,
Хайнрих Х..
О ян-теллеровском центре в Pb_1-xSn_xTe
, 01.1985
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007