Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Чижевский Е.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Цховребов А.М. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Белоушкин А.А. ,     Игнатьев А.С. Физ. и техн. полупровод. , Т.32,N1 , 01.1998 , с. C.124-127   Copyright © БЕН РАН.