Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К
Карузский А.Л.
,
Квит А.В.
,
Медведев С.А.
,
Клевков Ю.В.
,
Пересторонин А.В.
,
Свербиль П.П.
Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999
, с. С.56
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007