Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe выращенных методом МПЭ на подложках GaAs (100)
Багаев В.С.
,
Зайцев В.В.
,
Онищенко Е.Е.
,
Садофьев Ю.Г.
Физ. тверд. тела
,
Т.42,N2
, 01.2000 , с. C.230-234
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007