Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Formation of charged excitonic complexes in shallow quantum wells of undoped GaAs/AlGaAs structures under below-barrier and above- barrier photoexcitation
Tsvetkov V.A.
,
Sibeldin N.N.
,
Skorikov M.L.
Nanotechnology
,
N4
, 01.2001 , с. P.591-596
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007