Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Спектры решеточного ИК-отражения напряженных сверхрешеток ZnSe / Zn_1-xCd_xSe выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Виноградов В.С.
,
Водопьянов Л.К.
,
Садофьев Ю.Г.
,
Козырев С.П.
Физ. тверд. тела
,
Т.43,N7
, 01.2001 , с. C.1310-1314
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007