Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Физ. и техн. полупровод.,Т.1,N8
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1967
Включает:
Багаев В.С.
,
Копыловский Б.Д.
,
Берозашвили Ю.Н.
,
Гоголин О.В.
Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света
, 01.1967
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
