Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Влияние анизотропии эффективных масс на эффективную температуру в полупроводнике
Шотов А.П.
,
Леонов Ю.С.
,
Веселаго В.Г.
,
Глушков М.В.
Кратк. сообщ. по физ.
,
N8
, 01.1970 , с. C.30-36
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
