Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.4(2)

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Перестройка частоты когерентного излучения антимонида индия с помощью магнитного поля , 01.1970

  2.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. Зависимость сверхтонкого расщепления от одноосного сжатия в спектре ЭПР фосфора в сильнолегированном кремнии n-типа , 01.1970

  3.   Демешина А.И. ,     Мурзин В.Н. ,     Корчажкина Р.Л. ,     Кузнецова Н.Н. Длинноволновое инфракрасное поглощение в n-Ge, обусловленное взаимодействием примесей , 01.1970




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007