Подвижность носителей тока в кристаллах PbSe в интервале тем...


	Общая информация

Поиск атрибутный

Подвижность носителей тока в кристаллах PbSe в интервале температур 4.2-300 К.

Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Королев Ю.Н.

Физ. и техн. полупровод. , Т.5,N5 , 01.1971 , с. C.982-984

Copyright © БЕН РАН.

Последние изменения: 26.01.2004

119991 Москва, Ленинский просп., 14 Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)	На главную страницу
	В начало страницы
	© РАН 2007