Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.6,N7

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe , 01.1972

  2.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н. Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления , 01.1972




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007