Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.6,N11

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Лихтер А.И. ,     Пель Э.Г. Перестройка частоты излучения инжекционных лазеров на основе PBSe при гидростатическом давлении , 01.1972

  2.   Демешина А.И. ,     Мурзин В.Н. ,     Буздин В.В. ,     Курский Ю.А. Оптическое поглощение, связанное с переходами из синглетного в триплетное основное состояние донорных примесей в германии , 01.1972




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007