Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.7,N4

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. Особенности излучательной рекомбинации в чистых кристаллах InSb при низких температурах , 01.1973

  2.   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Определение эффективной массы дырок в кристаллах PbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттингсгаузена , 01.1973




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007