Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Кратк. сообщ. по физ.,N4

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Чижевский Е.Г. ,     Даварашвили О.И. Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной , 01.1976

  2.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В. Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом , 01.1976




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007