Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Кратк. сообщ. по физ.,N4
Кратк. сообщ. по физ.
, 01.1976
Включает:
Шотов А.П.
,
Чижевский Е.Г.
,
Даварашвили О.И.
Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной
, 01.1976
Шотов А.П.
,
Даварашвили О.И.
,
Бабушкин А.В.
Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом
, 01.1976
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007