Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Effects of electron-phonon interactions on the radiative recombination in pure Ge at low temperature (Влияние электрического взаимодействия на излучательную рекомбинацию в чистом германии при низких температурах)
Shotov A.P.
,
Ivanov V.N.
,
Murashov M.S.
Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors. Proc. Warszawa, Poland, July, 25-29 1972 (Междунар. конф. по физике полупроводников)
,
Т.1
, 01.1972 , с. С.170-176
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007