Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Physics of Narrow Gap Semiconductors. III Intern. conf. Proc. Warszawa, Sept. 12-15, 1977 / Ed.J.Rauluszkiewicz,M.Gorska,E.Kaczmarek
Включает:
Shotov A.P.
,
Zasavitsky I.I.
,
Gureev D.M.
,
Matsonashvili B.N.
Photoluminescence of Pb_1-xSn_xTe solid solutions in magnetic field. (Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe в магнитном поле)
Shotov A.P.
Band-edge parameters of IV-VI small gap alloys (Abstract only)
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007