Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Излучение взаимодействующих экситонов в Ge в сильных магнитных полях
Пенин Н.А.
,
Багаев В.С.
,
Галкина Т.И.
,
Гоголин О.В.
,
Алексеев А.С.
,
Семенов А.Н.
,
Стопачинский В.Б.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.12,N5
, 01.1970 , с. C.203-205
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
