Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




X-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors. Proc. 17-21 Aug.1970. Cambridge, Massachusetts / Ed.S.P.Keller, J.C.Hensel, F.Stern.




 

 Включает:

  1.   Bagaev V.S. ,     Galkina T.I. ,     Gogolin O.V. Excitons in Ge at High Concentrations and Low Temperatures

  2.   Vavilov V.S. ,     Murzin V.N. ,     Zayats V.A. New far infrared resonance absorption and emission of germanium at low temperature and optical generation of carriers




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007