Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула
Включает:
Багаев В.С.
,
Галкина Т.И.
,
Гоголин О.В.
Коллективные свойства экситонов в Ge
Багаев В.С.
,
Падучих Л.И.
,
Плотников А.Ф.
Исследование взаимодействия экситонов при больших плотностях в Si
Багаев В.С.
,
Падучих Л.И.
,
Сахоненко Т.С.
Люминесценция нелегированного GaAs при высоких уровнях фотовозбуждения
Келдыш Л.В.
Коллективные свойства экситонов в полупроводниках
Вавилов В.С.
,
Мурзин В.Н.
,
Заяц В.А.
Низкотемпературное резонансное поглощение и излучение в далекой инфракрасной области при оптической генерации носителей
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007