Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Низкотемпературная фотолюминесценция GaAs в условиях сильного взаимодействия неравновесных носителей
Багаев В.С.
,
Падучих Л.И.
,
Стопачинский В.Б.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.15,N9
, 01.1972 , с. C.508-512
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
