Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Резонансные состояния вблизи дна зоны проводимости в нелегированных кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x=0.2-0.33)
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Чижевский Е.Г.
,
Свистов А.Е.
,
Панкратов О.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.18,N9
, 01.1984 , с. C.1583-1587
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007