Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Методические вопросы применения полупроводниковых инжекционных лазеров в инфракрасной спектроскопии высокого разрешения
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Косичкин Ю.В.
,
Перов А.Н.
,
Поляков Ю.А.
,
Широков А.М.
Пр. ФИАН
,
N150
, 01.1981 , с. 32 c. c ил.
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007