Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Параметры глубокого центра в ненапряженных и напряженных эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In(0<=x<=0,25)
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Трофимов В.Т.
Пр.ФИАН
,
N259
, 01.1988 , с. 31 c.
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
