Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Трофимов В.Т.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.23,N11
, 01.1989 , с. C.2019-2026
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007
