Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Квант. электрон.,Т.8,N7

 

 Включает:

  1.   Кудрявцев Е.М. ,     Демин А.И. ,     Волков А.Ю. ,     Веденеев А.А. ,     Баканов Д.Г. ,     Одинцов А.И. ,     Федосеев А.И. ,     Спажакин В.А. ГДЛ с тепловой накачкой на переходах между уровнями мод v_1 и v_2 молекулы СО_2, излучающий в диапазоне 16,4-17,2 мкм , 01.1981




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007